Si光电器件表面减反膜设计的数值分析

摘要：

本文通过计算、分析在Si光电器件表面由SiO2、Si3N4及Al2O3组成的不同减反膜的反射损耗,得出了最优化的膜层组合.厚度为95 nm的SiO2层是最佳的单层减反膜;进一步的优化可采用40 nm Si3N4和40 nm SiO2或45nm Al2O3和45 nm SiO2组成的2层结构;3层或3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化,不建议采用.

关键词：减反膜、Si光电器件、导纳特征矩阵法

所属期刊栏目：12

分类号：TN36;TN305;O484(半导体技术)

资助基金：浙江省科技计划001101420

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：799-801