10.3321/j.issn:1005-0086.2000.05.008
半导体光放大器中超快增益压缩效应与TOAD开关性能优化
在半导体光放大器中当光脉冲小于10 ps时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效应.本文用数值方法分析了超快增益压缩效应对THz光非对称解复用器(TOAD)的开关特性.经过细致的参数优化,采用2.5 ps控制光,可以克服开关窗的分裂效应,得到一个宽度为2.0 ps,消光比为13. 7 dB的开关窗.
超快增益压缩、载流子加热、半导体光放大器、光非对称解复用器
11
TN248.4;TN929.11(光电子技术、激光技术)
foundation from Ministry of Education and National Key Lab in Integ Opeoelectronics in China
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
484-489