InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析

摘要：

本文利用LP-MOCVD系统在InP(001)衬底上先生长约2 nm的GaAs张应变层,再依据S-K生长模式生长InAs量子点层.用原子力显微镜(AFM)对InAs量子点(岛化)进行了研究.研究发现当InAs层的厚度为2个单原子层(ML)时,刚刚有InAs自组装量子点在表面形成;当InAs层的厚度为4 ML时,有大量的InAs自组装量子点在表面形成,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列,沿某一方向排列较多,而另一方向相对较少.

关键词：GaAs、张应变层、InAs、量子点、原子力显微镜

所属期刊栏目：11

分类号：TN365;TN304.2+3(半导体技术)

资助基金：新材料领域项目;国家自然科学基金69896260

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：29-31