长波长超辐射集成光源

摘要：

为适应光谱分割技术的需求,我们采用InGaAsP/InP单量子阱外延片,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成,制得了1.3 μm长波长超辐射集成光源,取得了初步的实验结果,验证了这种长波长集成器件的可行性.脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高.半导体光放大器的增益达到19 dB.

关键词：超辐射发光管、半导体光放大器、单片集成

所属期刊栏目：11

分类号：TN929.11

资助基金：新材料领域项目;中国科学院资助项目69777005;高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28