Si1-XGeX/Si红外光电探测器

摘要：

本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Si1-XGeX/Si异质结pin型红外探测器.其波长范围为0.70～1.55 μm,峰值波长为0.96～1.06 μm,暗电流密度低达0.03 μA/mm2(-2V),在1.30 μm处的响应度高达0.15 A/W(-5V);讨论了Ge组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响.

关键词：光电探测器、SiGe合金、响应度

所属期刊栏目：11

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：新材料领域项目863-307-96-0505;中国科学院资助项目69636010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-19