MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

摘要：

利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析.在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器.

关键词：C掺杂、金属有机化合物汽相外延、大功率、半导体激光器

所属期刊栏目：11

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：新材料领域项目;中国科学院资助项目6988601;北京市自然科学基金4982007

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-6