CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量

摘要：

本文研究CdTe半导体中电子与表面光学(SO)声子及体纵光学(LO)声子-弱耦合的表面磁极化子的性质.采用改进的线性组合算符和微扰法计算了半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量;当计及电子在反冲效应中,发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论其对CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子有效质量的影响.

关键词：碲化镉、磁极化子、弱耦合、微扰法、有效质量

所属期刊栏目：10

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：450-453