10.3321/j.issn:1005-0086.1999.05.010
AlxGa0.51-xIn0.49P中Al的组分研究
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系.用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较,三者结果相符.
椭偏光谱、有效介质近似、线性内插、能谱法
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TN24(光电子技术、激光技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
415-424