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10.3321/j.issn:1005-0086.1999.04.024

氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光

引用
用射频磁控反应溅射的方法,以Al及Al+MnF2为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了AlN多晶态和非晶态两类薄膜.发现非晶态薄膜吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动20nm.对于非晶态薄膜,通过喇曼光谱的分析,得到了AlN薄膜的特征声子能量的信息.首次用金属Al和块状MnF2共溅射的方法,制备了AlN:MnF2薄膜,在退火后的多晶态样品中,测得了Mn的特征光致发光.

氮化铝、氟化锰、溅射、薄膜、光致发光

10

TN2(光电子技术、激光技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

372-374

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光电子.激光

1005-0086

12-1182

10

1999,10(4)

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