三叉神经入脑桥区近场电位研究
目的 通过分别刺激眶上、眶下及颏神经,在三叉神经(trigeminal nerve,TN)入脑桥区(root en-try zone,REZ)记录近场电位(trigeminal evoked near field potential of REZ,TENFPREZ),研究该技术的临床可行性.方法 收集原发性面肌痉挛行微血管减压患者20例进行研究.术中首先通过神经导航技术定位眶上孔(眶上神经,V1)、眶下孔(眶下神经,V2)及颏孔(颏神经,V3)的体表位置,然后在上述骨孔旁插入相隔5 mm正负极针电极,参考电极置于FZ,术中分别予以时限0.1 ms、频率2.79 Hz、强度4～10 mA的电刺激,在TNREZ记录TENFPREZ.结果 刺激眶上神经记录到V1-TENFPREZ(90％,18/20),潜伏期(2.59±0.52)ms,时限(1.61±0.44)ms,达峰时间(3.33±0.73)ms,波幅(37.52±17.29)μV;刺激颏神经记录到V3-TENF-PREZ(15％,3/20),潜伏期(2.80±0.38)ms,时限(1.67±0.27)ms,达峰时间(3.53±0.48)ms,波幅(16.13±4.41)μV;刺激眶下神经不能记录到有效V2-TENFPREZ(0％,0/20),差异有统计学意义(χ2=40.879,P=0.000).结论 刺激眶上及颏神经能在TN REZ记录到TENFPREZ且V1-TENFPREZ更能容易获得,为术中TN电生理监测提供一个有效的方法.
三叉神经、入脑桥区、近场电位
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Q429+.6;Q424(神经生理学)
广东省医学科学技术研究基金项目B2017112,A2019399
2020-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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