硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

摘要：

应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用 X 射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在 300 oc 低温时 Ge 量子点缓冲层上生长的 SiGe外延层厚度仅为 380 nm,弛豫度已达 99％,位错密度低于 1 ×105 cm-2,表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于 2 nm.

关键词：硅基锗硅薄膜、驰豫衬底、外延生长

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分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金项目2016A030307038;广东省教育厅创新强校工程自然科学特色创新项目2015KTSCX090

在线出版日期：2020-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-13