烧结温度对Nb2O5-x靶材性能的影响

摘要：

采用真空烧结法制备 Nb2O5-x靶材,研究了烧结温度对靶材的相结构、脱氧率、密度以及电阻率的影响.控制靶材的真空烧结温度,可以制备出综合性能优良的 Nb2O5-x靶材.实验结果表明:在真空烧结温度为1200 ℃时,靶材的非化学计量比为 Nb2O4.59,其各项性能指标最佳:靶材的电阻率2.32 mΩ· cm、密度4.85 g/cm3、脱氧量2.47 %.

关键词：透明导电薄膜、靶材、烧结温度、电阻率

所属期刊栏目：12

分类号：TM283(电工材料)

资助基金：广州市科技创新委员会产学研协同创新重大专项201604016099

在线出版日期：2018-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31