气压对 PLD 法在AlN/Si 上外延生长的GaN性能的影响?

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜.研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用高分辨 X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对 GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行表征和分析.结果表明：气压在1~50 mTorr 范围时,GaN薄膜的表面形貌及结构性能均是先好后差；当气压在最佳值10 mTorr 时,外延生长的 GaN薄膜质量最优,其(0002)和(1012)面的高分辨 X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)分别为0.7°和0.8°；原子力显微镜测试得到 GaN薄膜表面的粗糙度为1.8 nm.

关键词：气压、脉冲激光沉积、GaN

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分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家优秀青年科学基金51422203;广东省杰出青年科学基金S2013050013882;广东省重大科技专项2014B010119001

在线出版日期：2016-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：16-21