AlN／蓝宝石模板上生长的 Al 0．6Ga0．4N薄膜结构与光学性能研究

摘要：

采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜，并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明，AlGaN薄膜产生了相分离，其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率．

关键词：相分离、AlN/蓝宝石模板、Al0.6Ga0.4N

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：广东省战略性新兴产业 LED专项项目编号2010A081001001，2011A081301003，2012A080301003，2012A080302002；广州市应用基础研究项目编号2013J4100014

在线出版日期：2014-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：169-172