10.3969/j.issn.1673-9981.2013.03.014
芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析
采用俄歇电子能谱法(A ES ),对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析。实验结果表明:失效引线键合点表面出现了Cl元素,其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点,导致键合点失效;溅射20 min后,键合点内发生Ni金属的迁移,这也是导致键合点失效的原因之一。
AES、深度剖析、芯片、键合点
TB304(工程材料学)
2013-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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