射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜

摘要：

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备稀土掺杂铝酸锶薄膜，在900℃和1100℃下、弱还原气氛中退火，分别得到SrAl2 O4∶Eu2＋，Dy3＋和Sr4 Al14 O25∶Eu2＋，Dy3＋长余辉发光薄膜。结果表明：SrAl2 O4结构是形成Sr4 Al14 O25相结构的中间相；在360 nm激发光激发下，SrAl2 O4∶Eu2＋，Dy3＋薄膜发光峰位于517 nm处左右，发光强度相对略高于Sr4 Al14 O25∶Eu2＋，Dy3＋薄膜，且后者发光峰位于490 nm处左右；Sr4 Al14 O25∶Eu2＋，Dy3＋薄膜的余辉性能优于SrAl2 O4∶Eu2＋，Dy3＋薄膜。

关键词：磁控溅射、铝酸锶、长余辉、薄膜

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：湛江师范学院青年项目QL1020；广东省大学生创新创业训练计划1057912014

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：188-192