电弧离子镀AlN薄膜的光致发光性能的研究

摘要：

在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X 射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11%;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(～400 nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(～450 nm).

关键词：电弧离子镀、AlN薄膜、掺杂、光致发光

所属期刊栏目：4

分类号：TG1464(金属学与热处理)

在线出版日期：2011-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：572-576