10.3969/j.issn.1673-9981.2009.01.007
甲烷流量对高掺硼金刚石多晶薄膜形态生长的影响
在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随着甲烷流量的增加,掺硼金刚石薄膜的二次形核增加,晶粒尺寸减小,晶界变得模糊,结晶性下降,非金刚石相增多,过高的甲烷流量导致掺硼金刚石薄膜的球状生长.
掺硼金刚石、热丝CVD、扫描电子显微镜、拉曼光谱
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O484.4(固体物理学)
2009-05-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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