10.13336/j.1003-6520.hve.20200619004
沿面电场对GIS绝缘子闪络电压的影响
为分别探究绝缘子沿面合成场强、切向场强分量和法向场强分量对其闪络电压的影响,以不同沿面电场分布的48种环氧支柱绝缘子试样为研究对象,根据其在标准雷电波下的闪络电压,与有限元法计算的沿面电场分布结果,分析了绝缘子沿面合成场强最大值Emax、切向场强最大值Etmax、法向场强最大值Enmax对其沿面闪络电压U的影响规律.结果 表明,Emax Etmax、Enmax与Uf的相关度分别为-0.90、-0.84、-0.73.根据气体放电理论分析可知,Emax是影响绝缘子沿面闪络放电起始以及放电形式转变的主要因素,Etmax是影响绝缘子沿面闪络发展的次要因素.但根据气-固界面静电场衔接条件可知,通过改变绝缘子形状和电极结构来减小Enmax能够有效降低Emax,同时可以有效抑制绝缘子表面电荷的积聚.因此,建议将沿面合成场强、切向场强、法向场强控制值一同纳入绝缘子电场设计规范.
GIS、环氧绝缘子、电场设计准则、SF6、雷电冲击、沿面闪络
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TM862;TM216;TM721.1
国家重点研发计划2017YFB0903802
2020-10-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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