SiC MOSFET器件封装和测试平台的杂散电感提取

摘要：

SiC MOSFET器件优异的性能使其逐渐被应用于高压高频高效变换器中,然而其器件封装和回路杂散电感在高压高频环境下严重影响并限制了其自身性能和潜力.为了准确提取器件封装和测试平台杂散电感,首先建立了考虑所有杂散参数影响的开关瞬态宽频电路等效模型,分析了器件封装电感和测试平台回路杂散电感对SiCMOSFET所受电气应力的影响.然后基于端口的概念,在宽频范围内利用Aligent 4294A阻抗分析仪等测量工具对功率回路的阻抗特性进行测量,并采用RLC串联模型,在MATLAB中对测量数据进行拟合,从而获取回路杂散电感参数.采用相同的方法对SiC MOSFET TO封装器件3个端子两两进行测量和拟合,并获取封装的杂散电感.最后将该方法提取的封装电感值和数据手册中提供的电感值进行对比,其最大误差仅为3nH,而回路电感值和实验结果对比误差仅为8.9 nH.结果 表明所提出的杂散电感提取方法可以用于器件封装及测试平台的杂散电感的提取.

关键词：SiC MOSFET、杂散电感、阻抗特性、RLC等效模型、数据拟合

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资助基金：国家重点研发计划2016YFB0400503

在线出版日期：2019-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：586-592