污秽绝缘子表面干区形成的影响因素

摘要：

干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明：随着等值附盐密度（ESDD）的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度（NSDD）的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。

关键词：污闪、干区、等值附盐密度(ESDD)、等值附灰密度(NSDD)、平板模型、人工污秽试验

所属期刊栏目：38

分类号：TM86(高电压技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2009CB724503

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2604-2610