绝缘子直流污闪时Hampton判据的适用性

摘要：

直流污闪模型中可用Hampton判据来获得闪络的临界弧长,但该方法在某情况下存在误差.因此分析了直流情况下基于Obenaus模型的污闪电压预测方法的原理,指出并证明了当不考虑弧根半径的影响时临界弧长仅与泄漏距离L和电弧参数n有关,而与其它因素无关,Hampton判据完全正确,并通过计算进行了验证.考虑弧根半径的影响时根据Hampton判据预测的直流污闪电压存在误差,其值略低于模型实际预测的污闪电压.分析了电弧参数A、n、等值盐密、泄漏距离、平均直径等因素对误差的影响,结果表明:随着A、n、等值盐密、泄漏距离的增加,相对误差减少;随着平均直径的增加,相对误差增大.当不考虑弧根半径的影响时应将L/(1+n)作为临界弧长以减少计算量,当考虑弧根半径的影响时应在O～L范围内搜索临界弧长以获得模型准确的污闪电压.

关键词：绝缘子、污闪、直流、Hampton判据、Obenaus模型、误差

所属期刊栏目：36

分类号：TM216;TM855(电工材料)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2009CB724508

在线出版日期：2011-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2639-2644