氧化锌压敏电阻劣化过程中电容量变化的分析应用

摘要：

因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U<,1mA>和漏电流I<,leakage>不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要.根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化.在不同的冲击实验下,对MOV型SPD进行劣化实验表明:MOV的电容量均随劣化程度增加而呈现上升趋势;在I<,N>标称值冲击下,MOV电容量随冲击次数近似线性上升.通过实验首次提出了电容量增幅具有考量MOV劣化程度的重要意义,同时证明:结合U<,1mA>、I<,leakage>和电容量3个参数能够更好地分析MOV内部劣化原因.

关键词：氧化锌压敏电阻、晶界、劣化、电容、漏电流、压敏电压

所属期刊栏目：36

分类号：TM286(电工材料)

资助基金：公益性行业科研专项GYHY200806014;南京信息工程大学项目E30JG0730

在线出版日期：2011-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2167-2172