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10.3969/j.issn.1003-6520.2007.01.031

高压真空灭弧室内部电场分布的影响因素

引用
为了解高电压真空灭弧室内部的电场分布情况,建立了真空灭弧室的电场数学模型.应用电场数值分析方法和有限元软件详细计算不同屏蔽罩与触头尺寸对真空灭弧室内部电场分布影响的结果表明,因高电压真空灭弧室开距较大,触头间隙不再是场强集中的区域,在高压真空灭弧室小型化设计过程中,除考虑电极间的绝缘外,更需考虑电极与屏蔽罩之间的绝缘.合理设计屏蔽罩的尺寸、位置和触头的形状可有效改善灭弧室内部的电场分布,提高真空灭弧室的耐压能力,从而为国内72.5 kV以上电压等级真空灭弧室的研制提供了理论依据.

真空灭弧室、高电压、模型、屏蔽罩、触头、电场分布

33

TM561(电器)

2007-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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高电压技术

1003-6520

42-1239/TM

33

2007,33(1)

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