微处理器静电电磁脉冲辐照效应试验研究

摘要：

为研究静电电磁脉冲(ESD EMP)对嵌入式微处理器(MPU)的影响,根据IEC61000-4-2标准,利用静电电磁脉冲电场测试系统对FPGA、CPLD、80C196单片机3种电路进行ESD EMP辐照效应试验,同时实测了耦合板周围电场强度,根据试验结果分析了故障原因.试验发现ESD EMP对MPU系统工作稳定性影响较大,使FPGA、CPLD、80C196单片机集成电路发生死机或重启故障的静电放电电压阈值分别为13、7和10 kV;3种微处理器对ESD EMP的敏感度序列为:CPLD＞80C196单片机＞FPGA.ESD EMP对MPU电路危害表现在放电的近场区,容易造成电子器件的击穿,而在远场区,主要是对电子设备造成高频干扰.

关键词：静电放电、电磁脉冲、辐照效应、微处理器、敏感度

所属期刊栏目：32

分类号：O441(电磁学、电动力学)

在线出版日期：2006-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：53-55