大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能

摘要：

采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3 AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物(MXene),用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高(3280 S/cm)及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6 dB,SSE/t值则高达19531.1 dB·cm2·g-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.

关键词：屏蔽材料、MXene、大片、高性能

所属期刊栏目：40

分类号：O614;TM25(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金51803203

在线出版日期：2019-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2059-2066