Ta_2O_5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究

摘要：

采用密度泛函方法研究了以TaCl_5和H_2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD) Ta_2O_5的初始反应机理. Ta_2O_5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应", 即TaCl_5和H_2O"半反应". 两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径. 通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现, TaCl_5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应. 另外, 从能量上看, H_2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.

关键词：密度泛函理论、原子层沉积、氧化钽

所属期刊栏目：30

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20973052, 60776017;河北科技大学杰出青年基金2006JC-3

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2279-2283