ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响

摘要：

@@ ZnO作为一种宽禁带(3.36 eV)高激子结合能(60 meV)的半导体材料已引起人们的关注.ZnO纳米粒子的比表面积较大,表面活性较高,对周围环境敏感,使其成为传感器制作中最有前途的材料[1],还在太阳能转换[2]、发光材料[3]、半导体表面修饰与敏化[4]、纳米电子学以及分子电子学器件[5]等领域显示出广阔的应用前景.制约这些应用的关键是ZnO纳米粒子表面和界面的电子结构和电荷转移行为,但有关此方面的报道较少.本文用溶胶-凝胶法制备了不同粒径的ZnO纳米粒子,应用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)技术研究了粒子的尺寸和结构对电荷性质的影响,同时还揭示了结构与光生电荷量子限域特性的关系,这些研究对ZnO纳米材料的应用具有重要意义.

关键词：ZnO纳米粒子、量子限域、场诱导表面光电压谱、激子态

所属期刊栏目：24

分类号：O643(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20273027;高等学校博士学科点专项科研项目020183008;吉林大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2077-2079