等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

摘要：

利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过荧光光谱, 观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375 nm). 紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达193, 显示出材料的高质量, 并通过原子力显微镜加以验证. 为了实现高阻ZnO薄膜, 利用高温富氧分段退火和用N2气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜. 结果表明, 电阻率由0.65 Ωcm分别升高到1 100 Ωcm(分段退火)和5×104 Ωcm(掺氮). 进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好, 显示出更高的薄膜质量.

关键词：ZnO薄膜、光荧光、原子力显微镜(AFM)

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.055;TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60177007,60176026;国家自然科学基金委员会-香港研究资助局联合科研项目59910161983;国家高技术研究发展计划863计划;吉林省科技厅科研项目19990518-1;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：927-931