H2＋杂质半导体量子点基态能级的量子尺寸效应

摘要：

用B样条技术计算H2＋杂质半导体量子点基态能级的量子尺寸效应．计算结果显示：当量子点半径R较小时，基态能级E对两核距离D的变化很敏感，E—D曲线上升快；当R较大时，E—D曲线上升变缓，基态能级对D的变化敏感度下降．在R较小的区域，E—R曲线下降较快，量子尺寸效应显著．在R较大的区域，E—R曲线下降速度变缓，量子尺寸效应减弱．

关键词：H2+杂质半导体量子点、Born—Oppenheimer近似、B—spline技术

所属期刊栏目：32

分类号：O562.1(分子物理学、原子物理学)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金资助项目10574163;国家自然科学基金资助项目8151030301000004

在线出版日期：2013-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41