N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究

摘要：

N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点，近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟，对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明，背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响，尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显，而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说，当前表面复合速率小于1×103 cm/s时，电池性能受表面复合速率变化的影响很小；但复合速率超过1×103 cm/s后，电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显，当背表面复合速率超过1×104 cm/s后，电池转换效率急剧下降，在背表面复合速率增大到1×106 cm/s时，电池效率下降到不足5%，而在电池背表面复合速度较小时（10~103 cm/s）则可获得较高的转换效率。

关键词：N型晶体硅、太阳电池、背发射极、PC1D模拟

分类号：TM914.4;O482.7

资助基金：呼和浩特市太阳能电池产业化工程研究中心创新能力建设项目2014150103000018；呼和浩特市“十二五”重大科技专项2012150103000167

在线出版日期：2015-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：27-32