10.3969/j.issn.1673-1255.2012.05.012
晶体硅太阳电池烧结工艺优化
金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一.首先对晶体硅太阳电池的烧结工艺进行了优化,利用平台式烧结温度曲线代替陡坡式烧结温度曲线.然后,采用Core Scan方法测试工艺优化前后晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅之间的接触电阻Rc,并测试了工艺优化前后电池片的IV特性.数据显示烧结工艺优化后可减小银电极与硅的接触电阻,从而提高了太阳电池的光电转化效率.平台式烧结温度曲线更适用浅结高方阻的电池结构.
太阳电池、接触电阻、烧结曲线、光电转换效率
TM914.4
2012-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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