界面电荷对C-Si表面钝化质量的影响

摘要：

深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素:界面态密度(Dit)、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度.研究发现,随着载流子注入水平改变,介质层的钝化质量与介质层带电类型和硅片掺杂类型紧密相关.随着载流子注入水平的降低,富含正电荷(负电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量随之降低;富含负电荷(正电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量却保持不变.深入分析了P型(N型)掺杂硅片表面钝化质量随注入水平变化而产生不同变化的原因,并为高效晶体硅电池表面钝化提出指导性意见,对于工作在低注入水平条件下(5×1014 cm-3)的晶体硅电池非常重要.

关键词：表面钝化质量、固定电荷、注入水平

所属期刊栏目：26

分类号：TM914.4

资助基金：上海市科委与应用材料联合基金08520741400;上海市科委优秀学科带头人项目基金08XD14022

在线出版日期：2011-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：28-34