第三代碲镉汞器件的研发进展

摘要：

通过对近年来部分英语文献的归纳分析,介绍了国外第三代碲镉汞(MCT)器件的研发现状,包括具有新颖器件结构的双色或三色探测器、雪崩光电二极管和多光谱阵列等.分析了三代MCT器件在阵列规模、光伏技术的甚长波应用、多色、读出电路等方面的研究进展.指出利用复杂可控的气相外延生长方法,例如分子束外延(MBE)和金属有机气相化学沉积(MOCVD)等,已可制备近乎理想设计的异质结光电二极管.随着基于MBE生长的MCT技术发展,法国和美国已分别可以制备4英寸以上的大尺寸锗基和硅基晶片,并在晶片上以可控厚度沉积光敏薄膜.依据目前的发展,三代MCT技术有望3、5年内达到量产的水平.

关键词：碲镉汞、pn结、光电二极管、焦平面阵列器件、红外探测器

所属期刊栏目：24

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：17-22,66