3-巯基丙基三甲氧基硅烷插层氧化石墨烯的硅烷化研究

摘要：

本文报告了在不同硅烷化反应时间下,通过3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)对氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)插层并表面硅烷化.通过 X 射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、热重分析(TGA)和扫描电子显微镜(SEM)对所得产物(MPTS-GO)进行了表征.实验结果表明MPTS-GO的Si含量随着硅烷化时间的增加而减少,当硅烷化时间大于24 h时,所制备的MPTS-GO样品中的Si含量几乎相同.当硅烷化时间大于24 h时,GO硅烷化基本完成.本文提出,在插层硅烷化后,GO有序的层状结构被打乱,MPTS主要通过Si-O键与GO表面的羟基反应相连接.末端具有"自由"巯基的MPTS-GO可用于进一步的组装及性能研究.

关键词：氧化石墨烯、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、硅烷化、插层、表面

所属期刊栏目：50

分类号：TQ12

资助基金：江苏省博士后基金;江苏大学大学生创新训练计划项目

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：12-14