C与Zn共掺杂InI电子结构与光学性质的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理,对C、Zn单掺及共掺InI体系的电子结构与光学性质进行研究.结果表明:掺杂后体系发生了晶格畸变,但并未改变体系的稳定性;相较于本征InI体系,C-InI体系与C-Zn-InI体系的禁带宽度减小,元素掺杂使费米能级附近出现杂质能级,增加了原子轨道对费米能级附近的贡献,并产生了带尾效应,使得掺杂后各体系均发生了红移现象;其中,C-InI体系的禁带宽度最小;C-InI体系在可见光区域的吸收系数最大,且体系的静介电常数也最大;由此可以推测出C-InI体系的光催化性能最好,这为降解污染物提供了一种选择.

关键词：GGA方法、光学性质、电子结构、光催化、InI

所属期刊栏目：49

分类号：TQ(化学工业)

资助基金：新疆维吾尔自治区普通高校重点学科开放课题;伊犁师范大学科研项目

在线出版日期：2022-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23