功率器件粗铝丝键合脱键失效机理分析

摘要：

粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装.但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下,容易发生引线剥离脱落,导致器件失效.本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段,系统研究了Al/Au界面的金属间化合物(intermetallic compound,IMC)及柯肯达尔空洞(kirkendall hole)的形成对粗铝丝键合脱键失效的影响.结果表明:粗铝丝键合脱键是源于高温过程中,金铝之间形成多种金属间化合物,引起体积变化,形成了连续的柯肯达尔空洞,最终导致键合脱键失效;降低金层厚度可以有效降低粗铝丝脱键导致的失效风险.

关键词：铝丝键合、金属间化合物(IMC)、柯肯达尔空洞、脱键、功率器件

所属期刊栏目：49

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2022-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：87-89,83