第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展

摘要：

第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点.本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状,提出了未来努力的方向和解决的方案,并展望了其未来的发展趋势和应用前景.

关键词：第三代半导体、碳化硅、进展

所属期刊栏目：48

分类号：TB34(工程材料学)

在线出版日期：2021-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：151-152,155