10.3969/j.issn.1007-1865.2021.09.006
HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片
利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片.所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中.所制备晶圆片厚度可达800 μm 以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm 以下.(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40~60 arcsec,曲率半径可达20 m 及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109Ω-cm.
氢化物气向外延、氮化镓、晶体生长、碳掺杂、晶圆片
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TQ(化学工业)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;上海市科学技术委员会;上海市科学技术委员会;上海市教委创新项目;上海学术研究领导人项目;上海经济和信息化委员会
2021-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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