(NH4)2S侧壁钝化提高GaN基Micro-LEDs光电性能

摘要：

作为新一代显示技术,GaN基Micro-LEDs具有低功耗、高亮度、高分辨率和快速响应的优点.但是,侧壁缺陷引起的表面非辐射复合严重影响Micro-LEDs的发光效率.本文利用(NH4)2S来钝化GaN微米柱侧壁,形成稳定的Ga-S取代不稳定的Ga-O和Ga-OH,修复侧壁缺陷,抑制电子空穴侧壁缺陷处发生的非辐射复合.(NH4)2S钝化20分钟之后,Micro-LEDs侧壁缺陷修复效果最明显.在40mA的电流下,LOP和EQE分别提高23.89％和23.95％,能量转换效率提升明显.(NH4)2S处理后形成的侧壁钝化层一方面可以有效减少载流子非辐射复合,另一方面有效防止氧或水蒸气在侧壁表面再次扩散发生反应,为GaN基Micro-LEDs光电性能提升提供新的方向.

关键词：Micro-LEDs、GaN、硫化钱、非辐射复合、侧壁缺陷

所属期刊栏目：48

分类号：TN312+8(半导体技术)

资助基金：上海市科委面上项目19ZR1435200

在线出版日期：2021-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,31