10.3969/j.issn.1007-1865.2020.21.032
PVT法生长碳化硅的生长方法及装置设置专利技术综述
SiC作为第三代半导体材料的代表,如何提高SiC晶体质量受到了国内外广泛关注.本文针对PVT法生长SiC晶体的生长方法及装置设置的专利进行综述.通过国内外专利申请量、主要申请人以及改进方向的对比,把握国内外技术演进方向和改进侧重点,寻找国内外技术差距.
PVT、SiC、晶体
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TQ(化学工业)
2020-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
73-74,72