大规模GaN纳米线阵列的制备及表征

摘要：

氮化镓(GaN)纳米线阵列是制备下一代光电器件和电子器件最有前途的半导体材料.研究制备规则整齐排列的高质量GaN纳米线阵列,是其商业化应用的基础.本文主要研究气相化学沉积(CVD)法过程中NH3流量、衬底类型以及生长温度实验条件对GaN纳米线阵列形貌结构的影响,并深入探索了不同长度GaN纳米线阵列的光学性质.对CVD生长GaN纳米结构进行SEM表征,表明Ga/N对生长取向影响较大;通过XRD图谱、Raman图谱分析,表明GaN纳米线的结晶度与衬底材料、生长温度等重要参数相关.使用PL对不同长度GaN纳米线表征,发现GaN纳米线阵列长度为5μm的结晶度最高光学性质最好,展现出了广阔的应用前景.

关键词：气相化学沉积、氮化镓、纳米线阵列

所属期刊栏目：45

分类号：TQ126.2+9

资助基金：国家自然科学基金51572173,51602197

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21