10.3969/j.issn.1007-1865.2016.13.006
单斜相BiVO4光催化性能理论计算
文章采用Material studio软件中CASTEP模块,利用第一性原理及广义梯度近似法,对单斜相BiVO4光催化性能进行模拟计算.考察了其带隙、态密度、光学性质等.计算结果表明BiVO4是良好的窄带隙半导体材料,对紫外光及可见光都有明显的吸收.
BiVO4、光催化、第一性原理、能带
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O657.61(分析化学)
海南省大学生创新训练项目20140066
2016-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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