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10.3969/j.issn.1007-1865.2015.15.006

CdS/CuInS2/TiO2复合纳米薄膜光电性能的研究

引用
利用连续离子层吸附反应(SILAR)法在TiO2纳米棒阵列表面沉积生长了CuInS2和CdS量子点,采用FESEM表征了复合纳米薄膜的结构和形貌,采用紫外可见分光光度计和电化学工作站表征了薄膜的光学和光电性能.当CuInS2和CdS薄膜循环沉积次数均为5次时,薄膜的光电响应最强,光电响应程长为20 μA/cm2.

SILAR法、量子点、纳米薄膜、光电性能

42

O646.54(物理化学(理论化学)、化学物理学)

河北省自然科学基金项目E2015402088;邯郸市科学技术研究与发展计划项目1421103054-3

2015-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

12-13,9

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1007-1865

44-1238/TQ

42

2015,42(15)

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