10.3969/j.issn.1007-1865.2013.19.015
纳米GaN的制备及其表征
以三苯基氧膦为溶剂、GaCI3为原料、六甲基二硅胺烷为氮源,采用高温溶剂法合成了GaN纳米材料.用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对产物进行了表征,结果表明得到了纳米结构的GaN粉末.
GaN、纳米结构、高温溶剂法
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TN304.2;TB332;TB383(半导体技术)
河北省教育厅科研项目2005201
2013-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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