10.3969/j.issn.1007-1865.2013.15.003
不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响
采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组.3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV.随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料.
烷基取代聚噻吩、密度泛函理论、电子性能
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TQ(化学工业)
西安应用材料创新基金资助XA-AM-200912;大学生创新训练项目201210702019
2013-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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