不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响

摘要：

采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组.3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV.随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料.

关键词：烷基取代聚噻吩、密度泛函理论、电子性能

所属期刊栏目：40

分类号：TQ(化学工业)

资助基金：西安应用材料创新基金资助XA-AM-200912;大学生创新训练项目201210702019

在线出版日期：2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：5-6