10.3969/j.issn.1007-1865.2011.02.003
掺杂Sb2O3的SnO2基陶瓷的SPS制备及性能研究
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了掺Sb2O3的SnO2基陶瓷.研究了烧结温度及Sb2O3的含量对SnO2基陶瓷的密度、物相、结构和电学性能的影响.研究袭明:随着烧结温度的提高,SnO2基陶瓷的相对密度逐渐增大,室温电阻率璧先减小后增大的趋势;随着Sb2O3掺杂量的增加,样品的相对密度呈先增加后减小的趋势,室温电阻率先减小后增大,烧结温度950℃,Sb2O3掺杂量0.5%时,室温电阻率达到极小值,2.35×10-2Ω·cm.分析认为,SPS烧结和Sb在SnO2中固溶对SnO2基陶瓷的致密化和导电性起到了作用.
二氧化锡、三氧化二锑、SPS、相对密度、窒温电阻率
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TQ(化学工业)
湖北省创新团队项目2008CDA011
2011-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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