热压烧结工艺制备Si/SiC陶瓷的研究

摘要：

α-SiC粉末为原料,Si为助烧剂,采用适当的热压烧结工艺,在1800℃,25MPa条件下获得了致密的SiC块体陶瓷,其抗弯强度为253MPa.

关键词：SiC、热压烧结、抗弯强度

所属期刊栏目：32

分类号：TQ17

在线出版日期：2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：10-11