电化学刻蚀制备宏孔硅研究

摘要：

半导体硅在含HF电解液阳极氧化体系中可以形成不同的腐蚀形态.当采用背面照明,且反应电流密度小于某个临界值时,可以在N型硅抛光片沿(100)晶向刻蚀产生宏孔结构,控制电化学条件能够调整宏孔的孔径、间距等形貌参数.本文采用相同电阻率N型抛光(100)硅片,考查了恒流条件下不同工作电流、照明强度对刻蚀反应以及刻蚀表面形貌的影响.

关键词：单晶硅片、电化学刻蚀、宏孔

所属期刊栏目：31

分类号：TQ035(一般性问题)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划

在线出版日期：2005-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：15-16