In2Se3纳米片改性的GO/WS2/Mg-ZnO复合材料光催化性能的研究

摘要：

二维纳米材料由于其结构和性能的独特性受到广泛的关注,各类二维纳米材料合成方法和表面改性的研究也得到了快速发展,在光催化性能提升和能源环境领域等方面发挥着重要作用.本文通过在复合物GO/WS2/Mg-ZnO(rGOWMZ)中添加直接带隙半导体In2Se3纳米片,合成rGOWMZ+In2Se3复合材料.并研究其光催化性能,发现性能得到了明显的改善,其中In2Se3纳米片质量分数为0.5％经过600℃热处理的复合物,在自然光照射下对罗丹明B的降解率为99.6％.本报道中In2Se3纳米片是通过液相超声剥离法制备的,大小为100 nm,厚度约为5层.并采用透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜对复合材料进行了物相分析.发现rGOWMZ+In2Se3复合材料对有机颜料罗丹明B具有优异的光催化性能,此复合材料将在光催化领域中具有巨大的应用潜力.

关键词：In2Se3纳米片、二维材料、自然光、光催化降解

所属期刊栏目：39

分类号：O611.2(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金;广东省基础与应用研究基金资助项目;广东工业大学青年百人计划资助项目

在线出版日期：2022-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：107-112